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TSV及3D探测模块组装技术研发公开招标公告
文章来源:大装置管理中心 2016-11-17
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一、采购人:

二、采购项目名称:TSV3D探测模块组装技术研发

三、招标编号:HEPSTF-B8-030104-16-010

四、招标产品内容:

(一)设备名称:TSV3D探测模块组装技术研发

(二)数量:共2套,分两个标包,每包一套

(三)采购预算:160万元,每包80

(四)项目简介:

1、项目概要

高能同步光源验证装置(简称“HEPS-TF”)项目是我国“十二五”器件重点建设的大科学装置,其目的是根据高能同步辐射装置的设计目标及建设需求,通过分析各部分的关键技术和难点,提炼出可能制约未来建设以及进一步发展的核心关键技术,在验证装置中进行充分的研究和工程验证,保证高能同步辐射装置的顺利建设、运行和未来发展的需要。

二维像素阵列探测器系统是HEPS-TF装置子系统之一,它采用混合型像素探测器结构。本招标项目将对可用于二维像素阵列探测器的TSV技术以及3D探测模块组装技术进行招标。甲方将以晶圆形式提供体硅像素传感器以及读出芯片,提供前端印刷电路板,并提供倒装焊阵列尺寸和分布图纸,读出芯片和电路板引脚定义和扇出图纸。乙方需以倒装焊方式完成单片传感器和多片读出芯片的点阵式互联,并且以TSV的方式完成芯片引脚的引出,最终以回流焊的方式完成探测模组同电路板的连接。

本次招标要求完成全部组装流程的技术研发,并在乙方现场完成良率检测和电性能测试。如测试合格,则将以此技术开展后续批量生产任务。

2、主要技术指标

TSV3D探测模块组装技术研发的主要技术指标见表1

1TSV3D探测模块组装技术研发主要技术指标

序号

技术要求

指标要求

1

硅通孔制作圆片尺寸

8英寸

2

硅通孔直径

10mm

3

硅通孔孔铜厚度

孔内全填充

4

孔壁绝缘层厚度

300nm

硅通孔深宽比

4:1~5:1

5

RDL制作圆片尺寸

8英寸

6

RDL布线层数

2

RDL线宽/线距

10微米/10微米

RDL布线厚度

3mm

7

RDL介质层厚度

4mm

金属凸点直径(边长)

25~30微米

8

金属凸点高度

10mm

9

三维组装

组装温度280°C以下,不超过30分钟

其他要求:

1)完成数量:32个模组,坏点率小于0.1%

2)完成时间:自合同签订起12个月内

(五)标包划分:

本招标项目划分为两个包进行,两个包招标内容完全相同,即每个包的招标内容为32个模组。因该项目属于预制研究的性质,为了分散采购风险,两个包的中标人根据评标方法的规定不能为同一投标人。

五、投标资格:

1)政府采购法第二十二条规定的资格条件。

2具有必要的生产设备和生产场地,有完成本项目加工、集成和检验测试的能力。

3)具有类似项目研发的业绩,需提供可以证明具有生产研发业绩的材料。

4)本项目不接受联合体投标。

5)产品的生产地点必须为中华人民共和国境内。

6按本招标公告规定方式购买招标文件并登记。

六、招标文件发售时间:20161117日~20161125日(公休日除外)

每天9:0011:0014:0016:30(北京时间)

七、招标文件发售地点:北京市石景山区玉泉路19号乙院(高能所)主楼A135室(大装置管理中心)

八、招标文件购买方式:

招标文件每套500元人民币(含招标文件电子版,购买时请携带U盘),招标文件售出不退。

如需邮购,请电汇标书费(500元)。款项(500元人民币)汇出后,请将银行出具的汇款回单、投标人名称、特快专递地址、E-mail地址等信息发邮件至xull@ihep.ac.cn。我们收到邮件后会立即将招标文件电子版用E-mail发给您。

投标时将收取不少于16000元的投标保证金。

注意:投标单位购买招标文件时请携带单位介绍信(盖公章)备查。请在介绍信上注明单位全称及其地址、邮编;联系人及其联系方法(包括手机、电话、传真、E-mail地址等)或提供购买人个人名片以便联系。

九、投标截止时间:北京时间2016129日上午9:00

十、投标文件递交地点:北京市石景山区玉泉路19号乙院(高能所)主楼A419室(大装置管理中心)

十一、开标时间:北京时间2016129日上午9:00

十二、本项目联系方式:人:徐乐乐

Emailxull@ihep.ac.cn

话:010-88236304

称:

开户银行:中国工商银行北京永定路支行

号: 0200004909014451557

附件下载:

    地址:北京市918信箱 邮编:100049 电话:86-10-88235008 Email:ihep@ihep.ac.cn
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